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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Determination of AlxGa1-xAs Auger sensitivity factors
作者: Chen WD;  Cui YD
发表日期: 1996
摘要: AlxGa1-xAs Auger sensitivity factors have been determined by using PHI610 scanning Auger microprobe with pure elemental standards Al, Ag and matrix GaAs. The quantitative results of AlxGa1-xAs measured by the present method are in very good agreement with X-ray double crystal measurements. it is shown that by using sensitivity factors obtained from the self-instrument, the accuracy of the quantitative AES analysis can be considerably improved compared with that using elemental relative sensitivity factors given by the PHI handbook or internal standard method.
KOS主题词: Electron spectroscopy
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen WD; Cui YD .Determination of AlxGa1-xAs Auger sensitivity factors ,APPLIED SURFACE SCIENCE ,1996,100(0):156-159
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