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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions
作者: Wang ZG;  Lin LY;  Li CJ;  Zhong XR;  Li YY;  Wan SK;  Sun H
发表日期: 1996
摘要: A technologically important undoped semi-insulating (SI) GaAs single crystal was successfully grown in the Chinese recoverable satellite as far as we know for the first time by using a similar growth configuration described previously. The experimental results proved that the space SI GaAs crystals have a lower density of defects and defect-impurity complexes as well as a better uniformity.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang ZG; Lin LY; Li CJ; Zhong XR; Li YY; Wan SK; Sun H .Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1996,13(7):553-556
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