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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High efficiency AlxGa1-xAs/GaAs solar cells: Fabrication, irradiation and annealing effect
作者: Li B;  Xiang XB;  You ZP;  Xu Y;  Fei XY;  Liao XB
发表日期: 1996
摘要: High efficiency AlxGa1-xAs/GaAs heteroface solar cells have been fabricated by an improved multi-wafer squeezing graphite boat liquid phase epitaxy (LPE) technique, which enables simultaneous growth of twenty 2.3 X 2.3cm(2) epilayers in one run. A total area conversion efficiency of 17.33% is exhibited (1sun, AM0, 2.0 x 2.0cm(2)). The shallow junction cell shows more resistance to 1 MeV electron radiation than the deep one. After isochronal or isothermal annealing the density and the number of deep level traps induced by irradiation are reduced effectively for the solar cells with deep junction and bombardment under high electron fluences.
KOS主题词: Gallium arsenide;  solar cell;  Liquid phase epitaxy;  Irradiation;  Heat treatment;  Radiation;  Rapid thermal processing;  Heat treatment;  Gallium arsenide
刊名: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li B; Xiang XB; You ZP; Xu Y; Fei XY; Liao XB .High efficiency AlxGa1-xAs/GaAs solar cells: Fabrication, irradiation and annealing effect ,SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS ,1996,44(1):63-67
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