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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide by x-ray bond method
作者: Chen NF;  Wang YT;  He HJ;  Wang ZG;  Lin LY;  Oda O
发表日期: 1996
摘要: The influences of microdefects and dislocations on the lattice parameters of undoped semi-insulating GaAs single crystals were analyzed, and a novel nondestructive method for measuring stoichiometry in undoped semi-insulating GaAs was established in this letter. The comparison of this method with coulometric titration indicates that the method of nondestructive measurements is indeed convenient and reliable. (C) 1996 American Institute of Physics.
KOS主题词: Gallium arsenide
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chen NF; Wang YT; He HJ; Wang ZG; Lin LY; Oda O .Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide by x-ray bond method ,APPLIED PHYSICS LETTERS ,1996,69(25):3890-3892
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