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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Assessment of the structural properties of GaAs/Si epilayers using X-ray (004) and (220) reflections
作者: Hao MS;  Wang YT;  Shao CL;  Soga TS;  Liang JW;  Jimbo T;  Umeno M
发表日期: 1996
摘要: We improved the method previously used to determine the lattice constants and misorientation of GaAs/Si by recording the patterns of X-ray (004) and (220) reflections. The (220) reflection was measured from the (110) cross section of a GaAs/Si epilayer. The structural properties of the GaAs/Si epilayers grown by metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) using an ultrathin a-Si buffer layer were investigated. The rotation angle of GaAs/Si epilayers grown by MOCVD using an a-Si buffer layer is very small and the lattice constants of these GaAs/Si epilayers agree quite well with elastic theory.
KOS主题词: crystal atomic structure;  misalignment;  X-ray reflection;  Metric system;  Silicon
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hao MS; Wang YT; Shao CL; Soga TS; Liang JW; Jimbo T; Umeno M .Assessment of the structural properties of GaAs/Si epilayers using X-ray (004) and (220) reflections ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,1996,35(12A):6017-6018
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