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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers
作者: Zou LF;  Wang ZG;  Sun DZ;  Fan TW;  Liu XF;  Zhang JW
发表日期: 1997
摘要: Diffusion of implanted As ion in relaxed Si1-xGex was studied as a function of Ge content over a wide range of Ge fractions (0-43%) and annealing temperature, and was compared to diffusion in Si. Experimental results showed that the As diffusion is enhanced with increasing annealing temperature for certain Ge content and strongly dependent on the higher Ge content and the faster As diffusion.
KOS主题词: Silicon;  Metric system;  Silicon;  amorphisation;  Temperature
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW .Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1997,14(1):51-54
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