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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence studies on the interaction of near-surface GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells with chemical adsorbates
作者: Liu Y;  Xiao XR;  Li XP;  Xu ZY;  Yuan ZL;  Zeng YP;  Yang CH;  Sun DZ
发表日期: 1996
摘要: The chemical adsorption of sodium sulphide, ferrocene, hydroquinone and p-methyl-nitrobenzene onto the surface of a GaAs/AlxGa1-xAs multiquantum well semiconductor was characterized by steady state and time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy. The changes in the PL response, including the red shift of the emission peak of the exciton in the quantum well and the enhancement of the PL intensity, are discussed in terms of the interactions of the adsorbed molecules with surface states.
KOS主题词: Photoluminescence;  Porous silicon;  Gallium arsenide;  Heterostructures;  Passivity;  Oxidation;  absorption;  Water-power;  Force and energy;  Cell
刊名: JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A-CHEMISTRY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu Y; Xiao XR; Li XP; Xu ZY; Yuan ZL; Zeng YP; Yang CH; Sun DZ .Photoluminescence studies on the interaction of near-surface GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells with chemical adsorbates ,JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A-CHEMISTRY,1996,101(0):113-117
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