高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: New aspects of K promoted nitridation of the InP(100) surface
作者: Huang L;  Zhao TX;  Duan YW;  Wang XP;  Lu ED;  Xu PS;  Hsu CC
发表日期: 1997
摘要: The effect of molecular nitrogen exposure on the InP(100) surface modified by the alkali metal K overlayer is investigated by core-level photoemission spectroscopy using synchrotron radiation. The alkali metal covered surface exhibits reasonable nitrogen uptake at room temperature, and results in the formation of a P3N5 nitride complex. Flash annealing at 400 degrees C greatly enhanced the formation of this kind of nitride complex. Above 500 degrees C, the nitride complex dissolved completely. (C) 1997 American Vacuum Society.
KOS主题词: alkali metal
刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
6963.pdf54KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Huang L; Zhao TX; Duan YW; Wang XP; Lu ED; Xu PS; Hsu CC .New aspects of K promoted nitridation of the InP(100) surface ,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS,1997,15(2):374-376
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Huang L]的文章
 [Zhao TX]的文章
 [Duan YW]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Huang L]的文章
 [Zhao TX]的文章
 [Duan YW]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发