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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electron migration in BaFCl:Eu2+ phosphors
作者: Chen W;  Song QQ;  Su MZ
发表日期: 1997
摘要: Here we report the electron migration by photo- or thermostimulation in BaFCl:Eu2+. Electrons released from F centers may be trapped by other defect sites to form F aggregates or another type of F center and vice versa. This migration reduces the photostimulated luminescence efficiency, lowers the imaging plate sensitivity, and causes the difference between the optical absorption and photostimulation spectra of color centers. (C) 1997 American Institute of Physics.
KOS主题词: A-centres;  A-centres;  Radiation;  Crystals
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen W; Song QQ; Su MZ .Electron migration in BaFCl:Eu2+ phosphors ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1997,81(7):3170-3174
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