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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Dissociated screw dislocation which can relieve strain energy in the epitaxial layer of GeSi on Si(001)
作者: Wan XY;  Liang JW;  Liu ML;  Jin XJ
发表日期: 1997
摘要: A dissociated screw dislocation parallel to the interface was found in the epitaxial layer of the Ge0.17Si0.83 Si(001) system. It is shown that this dissociated screw dislocation which consists of two 30 degrees partials can relieve misfit strain energy, and the relieved misfit energy is proportional to the width of the stacking fault between the two partials.
KOS主题词: Misfit dislocations;  interface
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wan XY; Liang JW; Liu ML; Jin XJ .Dissociated screw dislocation which can relieve strain energy in the epitaxial layer of GeSi on Si(001) ,PHYSICAL REVIEW B,1997,55(15):9259-9262
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