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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Low-temperature (10 K) infrared measurement of interstitial oxygen in heavily antimony-doped silicon via wafer thinning
作者: Wang QY;  Cai TH;  Yu YH;  Lin LY
发表日期: 1997
摘要: A new technique is reported for the rapid determination of interstitial oxygen in heavily Sb-doped silicon. This technique includes wafer thinning and low-temperature 10 K infrared measurement on highly thinned wafers. The fine structure of the interstitial oxygen absorption band around 1136 cm(-1) is obtained. Our results show that this method efficiently reduces free-carrier absorption interference, allowing a high reliability of measurement, and can be used at resistivities down to 1 x 10(-2) Omega cm for heavily Sb-doped silicon.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang QY; Cai TH; Yu YH; Lin LY .Low-temperature (10 K) infrared measurement of interstitial oxygen in heavily antimony-doped silicon via wafer thinning ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,1997,12(4):464-466
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