高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Si-Ge interdiffusion on the waveguide properties of SiGe-Si MQW photodetector
作者: Zhu YQ;  Yang QQ;  Wang QM
发表日期: 1997
摘要: Because of Si-Ge interdiffusion in the Si-SiGe interface during the growth process, the square-wave refractive index distribution of a SiGe-Si multiple-quantum-web (MQW) will become smooth. In order to simulate the actual refractive index profile, a staircase approximation is applied. Based on this approach, the dispersion equation of the MQW waveguide is obtained by using a transfer matrix method, The effects of index changes caused by the interdiffusion on the optical field and the characteristics of the photodetector are evaluated by solving the dispersion equation, It is shown that the Si-Ge interdiffusion can result in a reduction of the effective absorption coefficient and the quantum efficiency.
KOS主题词: photodetector;  Semiconductors;  Superlattices as materials;  Wave guides;  Modems
刊名: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
6950.pdf115KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhu YQ; Yang QQ; Wang QM .Effect of Si-Ge interdiffusion on the waveguide properties of SiGe-Si MQW photodetector ,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,1997,33(5):761-764
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhu YQ]的文章
 [Yang QQ]的文章
 [Wang QM]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhu YQ]的文章
 [Yang QQ]的文章
 [Wang QM]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发