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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaN m-i-n LED grown by MOVPE
作者: Lu DC;  Liu XL;  Wang D;  Wang XH;  Lin LY
发表日期: 1996
摘要: Undoped and Zinc-doped GaN films have been grown using TMGa, DEZn and Ammonia by MOVPE. The GaN blue-green LEDs of m-i-n structure have been fabricated. They can be operated at forward bias less than 5 volts. The EL peak wavelengths was from 455 nm to 504 nm.
刊名: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lu DC; Liu XL; Wang D; Wang XH; Lin LY .GaN m-i-n LED grown by MOVPE ,MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH,1996,1(0):art. no.18
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