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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation
作者: Novikov SV;  Kipshidze GD;  Lebedev VB;  Sharonova LV;  Shik AY;  Tretyakov VV;  Jmerik VN;  Kuznetsov VM;  Gurevich AM;  Zinovev NN;  Foxon CT;  Cheng TS;  Ren GB
发表日期: 1997
摘要: In this paper we report on the first results of epitaxial growth of GaN layers on GaAs (100) substrates using a modified MBE system, equipped with a DC-plasma source for nitrogen activation in configuration of reverse magnetron at ultra-low pressures.
KOS主题词: Nitrides;  Development
刊名: COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Novikov SV; Kipshidze GD; Lebedev VB; Sharonova LV; Shik AY; Tretyakov VV; Jmerik VN; Kuznetsov VM; Gurevich AM; Zinovev NN; Foxon CT; Cheng TS; Ren GB .MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation ,COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996,1997,(155):255-258
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