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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A theoretical model for the tilt of the GaAs/Si epilayers
作者: Hao MS;  Shao CL;  Soga T;  Jimbo T;  Umeno M;  Liang JW
发表日期: 1997
摘要: The crystallographic tilt of the epilayers with respect to their substrates has been observed in many heteroepitaxial systems. Many models have been proposed to explain this phenomenon, but none of them is suitable for the large mismatched system, such as GaAs/Si. Here a new model is proposed for GaAs/Si epilayers, which can also be used in other large mismatched systems. The magnitude of the tilt calculated from this model coincide well with the experimental results. Especially, this model can correctly predict the tilt direction of the GaAs/Si epilayers.
KOS主题词: Tilt;  misalignment;  Epitaxy
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW .A theoretical model for the tilt of the GaAs/Si epilayers ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1997,178(3):276-279
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