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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Resonant magnetopolaron effects due to interface phonons in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures
作者: Wang YJ;  Nickel HA;  McCombe BD;  Peeters FM;  Shi JM;  Hai GQ;  Wu XG;  Eustis TJ;  Schaff W
发表日期: 1997
摘要: Polaron cyclotron resonance (CR) has been studied in three modulation-doped GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well structures in magnetic field up to 30 T. Large avoided-level-crossing splittings of the CR near the GaAs reststrahlen region, and smaller splittings in the region of the AlAs-like optical phonons of th AlGaAs barriers, are observed. Based on a comparison with a detailed theoretical calculation, the high frequency splitting, the magnitude of which increases with decreasing well width, is assigned to resonant polaron interactions with AlAs-like interface phonons.
KOS主题词: Gallium arsenide;  Heterostructures;  Modes;  Heterojunctions;  metallic superlattices;  Electrons;  Mass
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang YJ; Nickel HA; McCombe BD; Peeters FM; Shi JM; Hai GQ; Wu XG; Eustis TJ; Schaff W .Resonant magnetopolaron effects due to interface phonons in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures ,PHYSICAL REVIEW LETTERS,1997,79(17):3226-3229
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