高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
作者: Liu XL;  Wang LS;  Lu DC;  Wang D;  Wang XH;  Lin LY
出版日期: 1998
会议日期: OCT 27-31, 1997
摘要: The physical properties of low-temperature-deposited GaN buffer layers with different thicknesses grown by metal-organic vapor-phase epitaxy have been studied. A tentative model for the optimum thickness of buffer layer has been proposed. Heavily Si-doped GaN layers have been grown using silane as the dopant. The electron concentration of Si-doped GaN reached 1.7 x 10(20) cm(-3) with mobility 30 cm(2)/V s at room temperature. (C) 1998 Published by Elsevier Science B.V. All rights reserved.
会议名称: 2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97)
KOS主题词: atomic layer deposition
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3058.pdf122KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Liu XL; Wang LS; Lu DC; Wang D; Wang XH; Lin LY .The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,1998,287-290
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Liu XL]的文章
 [Wang LS]的文章
 [Lu DC]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Liu XL]的文章
 [Wang LS]的文章
 [Lu DC]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发