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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
作者: Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG
出版日期: 2003
会议日期: JUN 10-14, 2002
摘要: Argon gas, as a protective environment and carrier of latent heat, has an important effect on the temperature distribution in crystals and melts. Numeric simulation is a potent tool for solving engineering problems. In this paper, the relationship between argon gas flow and oxygen concentration in silicon crystals was studied systematically. A flowing stream of argon gas is described by numeric simulation for the first time. Therefore, the results of experiments can be explained, and the optimum argon flow with the lowest oxygen concentration can be achieved. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
会议名称: IUMRS/ICEM 2002 Conference
KOS主题词: Liquid phase epitaxy;  Czochralski;  Computer simulation;  Oxygen content;  Dissolved oxygen
会议文集: MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG .Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth .见:ELSEVIER SCIENCE BV .MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4),PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,2003,504-509
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