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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MODULATION-DOPED ALXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURES WITH PARALLEL CONDUCTING LAYER IN ALXGA1-XAS
作者: JIANG PH;  ZHU YT;  SUN DZ;  ZENG YP
发表日期: 1988
刊名: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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JIANG PH; ZHU YT; SUN DZ; ZENG YP.MODULATION-DOPED ALXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURES WITH PARALLEL CONDUCTING LAYER IN ALXGA1-XAS,PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH ,1988,145(2):K111-K114
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