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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: INDUCED DEFECTS IN GAAS ETCHED BY LOW-ENERGY IONS IN ELECTRON-BEAM EXCITED PLASMA (EBEP) SYSTEM
作者: YU JZ;  MASUI N;  YUBA Y;  HARA T;  HAMAGAKI M;  AOYAGI Y;  GAMO K;  NAMBA S
发表日期: 1989
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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YU JZ; MASUI N; YUBA Y; HARA T; HAMAGAKI M; AOYAGI Y; GAMO K; NAMBA S.INDUCED DEFECTS IN GAAS ETCHED BY LOW-ENERGY IONS IN ELECTRON-BEAM EXCITED PLASMA (EBEP) SYSTEM,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,1989,28(11):2391-2395
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