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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHYSICAL BEHAVIOR OF RUTHENIUM IN SILICON
作者: ZHOU J;  WU JA;  LU LW;  HAN ZY
发表日期: 1991
摘要: We report the physical behavior of Ru atom in silicon in this paper. Two energy levels E(0.58) and H(0.34) were observed. The pure substitutional Ru in silicon was responsible for the H(0.34), and the E(0.58) was introduced by a complex of a Ru atom and a vacancy (or vacancies). By use of scattered wave-X-alpha (SW-X-alpha) cluster method the theoretical calculation of electronic states for substitutional Ru atom in silicon has been performed. The results obtained were compared with those of experimental measurements.
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY.PHYSICAL BEHAVIOR OF RUTHENIUM IN SILICON,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1991,69(4):2746-2748
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