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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH
作者: ZHOU J;  WU JA;  LU LW;  HAN ZY
发表日期: 1991
摘要: Two thermostable levels E(0.31) and E(0.58) related to Rh in Si were observed using deep level transient spectroscopy and double correlation deep level transient spectroscopy techniques. By means of thermal annealing and electron irradiation, the microscopic natures of these levels were identified for the first time. The levels E(0.31) and E(0.58) arise from by the same impurity center but have different charge states. Their microstructures are not related to a pure substitutional Rh atom, but correspond to a complex. This result is compared to our self-consistent theoretical calculation.
KOS主题词: Silicon;  crystal impurities;  defect
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY.IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1991,69(4):2251-2255
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