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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: CONVERGENT-BEAM ELECTRON-DIFFRACTION STUDY OF GE0.5SI0.5/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
作者: DUAN XF;  FUNG KK;  CHU YM;  SHENG C;  ZHOU GL
发表日期: 1991
摘要: Side bands due to purely composition and combined composition-strain modulation in plan-view specimens of a nominally Ge0.5Si0.5(5nm)/Si(25nm) superlattice have been obtained by large-angle convergent-beam electron diffraction. The intensities of the side bands have been calculated from a periodic tension-compression model of the superlattice bilayer using the kinematical theory of electron diffraction. Accurate values of elastic strains in the bilayer and of the Ge content can be obtained in this way.
KOS主题词: multilayers;  Heterostructures
刊名: PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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DUAN XF; FUNG KK; CHU YM; SHENG C; ZHOU GL.CONVERGENT-BEAM ELECTRON-DIFFRACTION STUDY OF GE0.5SI0.5/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY,PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS,1991,63(2):79-85
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