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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: AN ALUMINUM OXYNITRIDE FILM
作者: DEHUANG W;  LIANG G
发表日期: 1991
摘要: We report on an aluminum oxynitride (AlON) film which was successfully made using the reactiver r.f. sputtering method in an N2-O2 mixture. The fabrication process, atomic components, breakdown field and refractive index of the AlON film are shown in detail. The AlON film is a new polyfilm combining the good properties of Al2O3 and AlN, and it is very interesting with regard to optoelectronic devices and integrated optic circuits.
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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DEHUANG W; LIANG G.AN ALUMINUM OXYNITRIDE FILM,THIN SOLID FILMS,1991,198(0):207-210
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