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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: METASTABLE DEFECT IN AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS INVESTIGATED BY JUNCTION RECOVERY TECHNIQUE
作者: ZHANG Q;  LI FD;  LIAO XB;  KONG GL
发表日期: 1991
摘要: The effect of metastable defects caused by light soaking and carrier injection on the transport of carriers in undoped a-Si:H has been investigated by a junction recovery technique. The experiments show that after light soaking or carrier injection the product of mu-p-tau-p decreases, but no detectable change in the distribution of shallow valence band tail states was found.
KOS主题词: life time
刊名: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHANG Q; LI FD; LIAO XB; KONG GL.METASTABLE DEFECT IN AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS INVESTIGATED BY JUNCTION RECOVERY TECHNIQUE,JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS ,1991,128(1):86-90
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