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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING
作者: CHEN WD;  CUI YD;  HSU CC;  TAO J
发表日期: 1991
摘要: The interaction of Co with Si and SiO2 during rapid thermal annealing has been investigated. Phase sequence, layer morphology, and reaction kinetics were studied by sheet resistance, x-ray diffraction, Auger electron spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, and scanning electron microscopy. With increasing annealing temperature, Co film on Si(100) is transformed sequentially into Co2Si, CoSi, and finally CoSi2 which corresponds to the minimum of sheet resistance. No evidence of silicide formation was observed for Co/SiO2 annealed even at the high temperature of 1050-degrees-C.
KOS主题词: Development;  Silicides;  Dynamics;  crystal;  Silicon;  Photography--Films;  Finite volume method;  Thallium;  Titanium
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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CHEN WD; CUI YD; HSU CC; TAO J.INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1991,69(11):7612-7619
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