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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHOTOLUMINESCENCE AND SURFACE PHOTOVOLTAIC SPECTRA OF STRAINED INP ON GAAS
作者: ZHUANG WH;  CHEN C;  TENG D;  YU J;  LI YZ
发表日期: 1991
摘要: A high energy shift of the band-band recombination has been observed in the photoluminescence (PL) spectra of the strained InP epilayer on GaAs by metalorganic chemical vapor deposit. The strain determined by PL peak is in good agreement with calculated thermal strain. The surface photovoltalic spectra gives the information about energy gap, lattice mismatching, and composition of heteroepilayers, diffusion length, surface, and interface recombination velocity of minority carriers of heteroepitaxy layers.
KOS主题词: Energy bands;  attenuated total reflection
刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHUANG WH; CHEN C; TENG D; YU J; LI YZ.PHOTOLUMINESCENCE AND SURFACE PHOTOVOLTAIC SPECTRA OF STRAINED INP ON GAAS,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS,1991,9(3):983-986
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