高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES
作者: GONG XY;  YANG BH;  MA YD;  GAO FS;  YU Y;  HAN WJ;  LUI XF;  XI JY;  WANG ZG;  LIN LY
发表日期: 1991
摘要: The GaInAsSb/AlGaAsSb/GaSb heterostructures were grown by the liquid phase epitaxy (LPE) technique. The materials were characterized by means of optical microscopy, electroprobe microanalysis (EPMA), double-crystal X-ray diffraction, capacitance-voltage (C-V) and Van der Pauw measurments, infrared absorption spectra, photoluminescence and laser Raman scattering. The results show that the materials have fine surface morphology, low lattice mismatch and good homogeneity. Room-temperature light-emitting diodes with an emission wavelength of 2.2-mu-m were obtained by using the GaInAsSb/AlGaAsSb DH structures.
KOS主题词: crystal atomic structure;  Lasers;  Energy bands
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
6614.pdf736KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
GONG XY; YANG BH; MA YD; GAO FS; YU Y; HAN WJ; LUI XF; XI JY; WANG ZG; LIN LY.LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,1991,30(7):1343-1347
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [GONG XY]的文章
 [YANG BH]的文章
 [MA YD]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [GONG XY]的文章
 [YANG BH]的文章
 [MA YD]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发