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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHYSICAL VAPOR TRANSPORT AND CRYSTAL-GROWTH OF GESEXTE1-X SOLID-SOLUTIONS
作者: WIEDEMEIER H;  GE YR
发表日期: 1991
摘要: Physical vapor transport studies of GeSe(x)Te1 - x (x = 0.1, 0.2, 0.3, and 0.4) solid solutions demonstrated, that individual, large single crystals of these materials can be grown in closed ampoules. A compositional analysis of the grown crystals revealed, that the mass transport (crystal growth) process under steady-state conditions is pseudo-congruent and controlled by diffusion processes in the source material. From these experiments, the degree of non-stoichiometry (Ge-vacancy concentrations) of GeSe(x)Te1 - x single crystals could be estimated. The effects of the cubic to rhombohedral phase transformation during cooling on the microstructure and morphology of the grown mixed crystals are observed. This work provides the basis for subsequent defect studies and electrical measurements on these crystals.
KOS主题词: Sublimation (Psychology);  system
刊名: ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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WIEDEMEIER H; GE YR.PHYSICAL VAPOR TRANSPORT AND CRYSTAL-GROWTH OF GESEXTE1-X SOLID-SOLUTIONS,ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE,1991,598(0):339-352
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