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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MEV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING ANALYSIS OF SILICON-NITRIDE AND OXIDE LAYERS ON SILICON
作者: JIANG WL;  ZHU PR;  DONG AH;  YIN SD
发表日期: 1991
摘要: A simple method for the analysis of concentration ratios N/Si and O/Si in silicon nitride and oxide layers on silicon substrate is presented. 1.95-MeV proton elastic backscattering was used to determine the composition and density. A comparison with 2.1-MeV helium Rutherford backscattering measurements is given. Results are in good agreement with each other. The method is especially useful to analyze samples of 20 000 angstrom or thicker layers. We conclude that these two techniques are complementary for the measurements of samples with different thickness. A brief discussion has been given on results.
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
JIANG WL; ZHU PR; DONG AH; YIN SD.MEV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING ANALYSIS OF SILICON-NITRIDE AND OXIDE LAYERS ON SILICON,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1991,70(5):2610-2613
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