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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A NEW RESULT IN TRANSIENT CURRENT EXPERIMENT ON A-SI-H P/I/N AND N/I/N DEVICES
作者: ZHANG Q;  LIAO XB;  HSIA CY;  KONG GL;  ZHANG DL
发表日期: 1991
摘要: The transient current response of a-Si:H in both p/i/n and n/i/n structures has been measured as a function of pulse intermittence and pulse amplitude. The results are consistent with the picture that in p/i/n samples the peculiar current response is caused by the competing contributions of electrons and holes which show themselves in different time scales.
KOS主题词: amorphous silicon
刊名: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHANG Q; LIAO XB; HSIA CY; KONG GL; ZHANG DL.A NEW RESULT IN TRANSIENT CURRENT EXPERIMENT ON A-SI-H P/I/N AND N/I/N DEVICES,JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS ,1991,137(0):459-462
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