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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: NEW TYPE OF SILICON MATERIAL WITH VERY HIGH-QUALITY SURFACE-LAYER ON INSULATING DEFECT LAYER
作者: LI JM;  CHONG M;  ZHU J
发表日期: 1992
摘要: A new-type silicon material, silicon on defect layer (SODL) was proved to have a very high quality surface microstructure which is necessary for commercially feasible high-density very large scale integrated circuits (VLSI). The structure of the SODL material was viewed by transmission electron microscopy. The SODL material was also proved to have a buried defect layer with an insulating resistivity of 5.7 x 10(10) OMEGA-cm.
刊名: ELECTRONICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LI JM; CHONG M; ZHU J.NEW TYPE OF SILICON MATERIAL WITH VERY HIGH-QUALITY SURFACE-LAYER ON INSULATING DEFECT LAYER,ELECTRONICS LETTERS,1992,28(7):652-653
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