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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ENERGY-LEVEL CALCULATIONS OF THE RECONSTRUCTED 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON
作者: MARKLUND S;  WANG YL
发表日期: 1992
摘要: An LCAO scheme taking into account 10 atomic orbitals (s-, p-, and d-type) applied to a supercell containing 256 atoms is used to calculate the bound states of the reconstructed 90-degrees partial dislocation in Si. The results differ significantly from our earlier calculations on the unreconstructed 90-degrees partial using the same method. We find two bands separate from each other in the entire Brillouin zone and the upper band penetrates deep into the indirect band gap which is in contradiction with the general opinion that core reconstruction clears the band gap of dislocation states.
KOS主题词: States;  Cantons;  Example;  Modeling
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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MARKLUND S; WANG YL.ENERGY-LEVEL CALCULATIONS OF THE RECONSTRUCTED 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON,SOLID STATE COMMUNICATIONS ,1992,82(2):137-140
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