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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS
作者: ZHU QS;  HIRAMATSU K;  SAWAKI N;  AKASAKI I
发表日期: 1992
摘要: The measurement of DLTS on the alloy InxGa1-xAsyP1-y (0 less-than-or-equal-to y less-than-or-equal-to 0.3; 0.5 greater-than-or-equal-to x greater-than-or-equal-to 0.35) shows a new signal, labeled as E2, with an activation energy of E(c) - 0.61 eV and the SIMS signals show a large number of oxygen. To clarify is further, the energy of the deep level E2 is quantitatively calculated by using Vogl's tight-binding theory and Hjalmarson's deep level theory. As a result, the deep A1-symmetric level associated with an oxygen on the anion site of InxGa1-xAsyP1-y locates deeply in the band gap. Thus, the level E2 is considered to be induced by the oxygen impurity.
KOS主题词: Semiconductors
刊名: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I.OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS,PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,1992,172(2):647-653
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