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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: HYDROGEN-RELATED DONOR IN SILICON-CRYSTALS GROWN IN A HYDROGEN ATMOSPHERE
作者: ZHONG L;  WANG ZG;  WAN S;  ZHU JB;  SHIMURA F
发表日期: 1992
摘要: Neutron transmutation doped (NTD) silicon crystals grown in a hydrogen atmosphere have been investigated by infrared absorption spectroscopy at a low temperature (10 K). An effective-mass-like donor state HD0/+ has been found at 110.8 me V below the conduction band bottom after rapid thermal annealing (RTA). The HD0/+ formation mechanism after NTD and RTA is briefly discussed, and tentatively attributed to H atoms present in the vicinity of some residual irradiation defects, like a complex of a H atom and a H-saturated vacancy.
KOS主题词: Bands
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
ZHONG L; WANG ZG; WAN S; ZHU JB; SHIMURA F.HYDROGEN-RELATED DONOR IN SILICON-CRYSTALS GROWN IN A HYDROGEN ATMOSPHERE,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING ,1992,55(4):313-316
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