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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GROWTH OF GASB AND GAASSB IN THE SINGLE-PHASE REGION BY MOVPE
作者: LU DC;  LIU XL;  WANG D;  LIN LY
发表日期: 1992
摘要: GaSb layers are grown on GaSb substrates; the effects of input partial pressure of trimethylantimony and the V/III ratio are studied. A model of the MOVPE phase diagram for the growth of GaSb and GaAsxSb1-x is developed which assumes thermodynamic equilibrium to be established at the solid-vapor interface.
KOS主题词: GALLIUM ANTIMONIDE;  atomic layer deposition;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LU DC; LIU XL; WANG D; LIN LY.GROWTH OF GASB AND GAASSB IN THE SINGLE-PHASE REGION BY MOVPE,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1992,124(0):383-388
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