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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ELECTRONIC SPECTROSCOPY STUDIES OF A P2S5NH4OH TREATED GAS(100) SURFACE
作者: ZHONG ZT;  LUO WZ;  MOU SM;  ZHANG KY;  LI X;  LI CF
发表日期: 1992
摘要: Microscopic characteristics of the GaAs(100) surface treated with P2S5/NH4OH solution has been investigated by using Auger-electron spectroscopy (AES) and x-ray photoemission spectroscopy (XPS). AES reveals that only phosphorus and sulfur, but not oxygen, are contained in the interface between passivation film and GaAs substrate. Using XPS it is found that both Ga2O3 and As2O3 are removed from the GaAs surface by the P2S5/NH4OH treatment; instead, gallium sulfide and arsenic sulfide are formed. The passivation film results in a reduction of the density of states of the surface electrons and an improvement of the electronic and optical properties of the GaAs surface.
KOS主题词: Schottky barrier;  SODIUM SULFIDE;  Passivity;  Oxidation;  Example;  Modeling
刊名: CHINESE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHONG ZT; LUO WZ; MOU SM; ZHANG KY; LI X; LI CF.ELECTRONIC SPECTROSCOPY STUDIES OF A P2S5NH4OH TREATED GAS(100) SURFACE,CHINESE PHYSICS ,1992,12(4):853-858
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