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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
作者: XING YR;  JAMAL Z;  JOYCE TB;  BULLOUGH TJ;  KIELY CJ;  GOODHEW PJ
发表日期: 1993
摘要: HF etching followed by relatively low temperature (almost-equal-to 600-degrees-C) pretreatment is shown to provide a suitable substrate for the heteroepitaxial growth of GaAs on Si(100) by CBE using TEGa and AsH3 as sources. Rutherford backscattering (RBS), photoluminescence (PL), transmission electron microscopy (TEM), and Raman measurements show the low-defect nature of the GaAs epilayer.
KOS主题词: molecular beam;  Temperature;  Metric system;  Silicon
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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XING YR; JAMAL Z; JOYCE TB; BULLOUGH TJ; KIELY CJ; GOODHEW PJ.GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY,APPLIED PHYSICS LETTERS,1993,62(14):1653-1655
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