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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: SHIFTING PHOTOLUMINESCENCE BANDS IN HIGH-RESISTIVITY LI-COMPENSATED GAAS
作者: GISLASON HP;  YANG BH;  LINNARSSON M
发表日期: 1993
摘要: It is shown that Li diffusion of GaAs can give rise to semi-insulating samples with electrical resistivity as high as 10(7) OMEGAcm in undoped, n-type, and p-type starting materials. The optical properties of the compensated samples are correlated with the depletion of free carriers caused by the Li diffusion. The radiative recombination of the Li-compensated samples is dominated by emissions with excitation-dependent peak positions that shift to lower energies with increasing compensation. The photoluminescence properties are characteristic of fluctuations of the electrostatic potential in strongly doped, compensated crystals.
KOS主题词: emission
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
GISLASON HP; YANG BH; LINNARSSON M.SHIFTING PHOTOLUMINESCENCE BANDS IN HIGH-RESISTIVITY LI-COMPENSATED GAAS,PHYSICAL REVIEW B,1993,47(15):9418-9424
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