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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: EFFECTS OF DEEP CENTERS AT PT SI INTERFACES AND HYDROGENATION
作者: HSU CC;  DING SA;  LU LW;  ZHOU J
发表日期: 1993
摘要: Electrical measurements were combined with surface techniques to study the Pt/Si interfaces at various silicide formation temperatures. Effects of deep centers on the Schottky barrier heights were studied. Hydrogen plasma treatment was used to passivate the impurity/defect centers at the interfaces, and the effects of hydrogenation on the Schottky barrier heights were also examined. Combining our previous study on the Pt/Si interfacial reaction, factors influencing the PtSi/Si Schottky barrier diode are discussed.
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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HSU CC; DING SA; LU LW; ZHOU J.EFFECTS OF DEEP CENTERS AT PT SI INTERFACES AND HYDROGENATION,APPLIED SURFACE SCIENCE ,1993,70-71(0):438-441
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