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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: WELL WIDTH DEPENDENCE OF THE EXCITON LIFETIME IN NARROW GAAS/GAALAS QUANTUM-WELLS
作者: XU ZY;  JIN SR;  LUO CP;  XU JZ
发表日期: 1993
摘要: We have studied the radiative excitonic lifetime as a function of the well width in GaAs/GaAlAs quantum wells. An increasing lifetime with decreasing well width has been observed in very narrow and high quality GaAs/GaAlAs quantum wells, and attributed to the reduced overlap of the electron and hole wave functions and the increase of the exciton effective volume. This is the first observation of its kind in the conventional GaAs/GaAlAs quantum wells.
KOS主题词: Dynamics
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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XU ZY; JIN SR; LUO CP; XU JZ.WELL WIDTH DEPENDENCE OF THE EXCITON LIFETIME IN NARROW GAAS/GAALAS QUANTUM-WELLS,SOLID STATE COMMUNICATIONS ,1993,87(9):797-800
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