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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: WANNIER-STARK LOCALIZATION IN INGAAS/GAAS SUPERLATTICES AND ITS APPLICATION TO ELECTROOPTICAL DEVICES
作者: LIU W;  ZHANG YH;  JIANG DS;  WANG RZ;  ZHOU JM;  MEI XB
发表日期: 1993
摘要: We have observed Wannier-Stark localization in strained In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices by low- and room-temperature photocurrent spectra measurements. The experimental results are well in agreement with the theoretical predictions. A large field-induced modulation response of the absorption edge of the superlattices at room temperature suggests the possibilities of the application to the design of various kinds of electro-optical devices operating at a wavelength of 0.98 mum, based on Wannier-Stark localization effects.
KOS主题词: room temperature;  Field
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LIU W; ZHANG YH; JIANG DS; WANG RZ; ZHOU JM; MEI XB.WANNIER-STARK LOCALIZATION IN INGAAS/GAAS SUPERLATTICES AND ITS APPLICATION TO ELECTROOPTICAL DEVICES,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1993,74(6):4274-4276
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