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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS
作者: YANG BH;  GISLASON HP;  LINNARSSON M
发表日期: 1993
摘要: We report lithium passivation of the shallow acceptors Zn and Cd in p-type GaAs which we attribute to the formation of neutral Li-Zn and Li-Cd complexes. Similar to hydrogen, another group-I element, lithium strongly reduces the concentration of free holes when introduced into p-type GaAs. The passivation is inferred from an increase of both the hole mobility and the resisitivity throughout the bulk of the sample. It is observed most clearly for Li concentrations comparable to the shallow-acceptor concentration. In addition, compensation of shallow acceptors by randomly distributed donors is present in varying degree in the Li-diffused samples. Unlike hydrogenation of n-type GaAs, Li doping shows no evidence of neutralizing shallow donors in GaAs.
KOS主题词: Silicon;  Neutralization
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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YANG BH; GISLASON HP; LINNARSSON M.LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS,PHYSICAL REVIEW B,1993,48(16):12345-12348
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