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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ELECTRIC-FIELD-INDUCED EXCITON-LINEWIDTH BROADENING IN SHORT-PERIOD GAAS/GAXAL1-XAS SUPERLATTICES
作者: ZHANG YH;  JIANG DS;  LI F;  WU RH;  ZHOU JM;  MEI XB
发表日期: 1993
摘要: We have investigated the Wannier-Stark effect in GaAs/GaAl1-xAs superlattices under electric fields by photocurrent spectroscopy measurements in the range of temperatures 10-300 K. The linewidth of the Oh Stark-ladder exciton was found to increase significantly along with an increase in peak intensity when the electric field increases. We present a mechanism based on an enhanced interface roughness scattering of electronic states due to Wannier-Stark localization in order to explain this increased broadening with electric field. This electric-field-related scattering mechanism will weaken the negative differential conductance effects in superlattices predicted by Esaki and Tsu.
KOS主题词: Superlattices as materials;  Doppler effect;  absorption
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHANG YH; JIANG DS; LI F; WU RH; ZHOU JM; MEI XB.ELECTRIC-FIELD-INDUCED EXCITON-LINEWIDTH BROADENING IN SHORT-PERIOD GAAS/GAXAL1-XAS SUPERLATTICES,PHYSICAL REVIEW B,1993,48(16):12296-12299
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