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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: THEORETICAL TREATMENT OF A3B5 CHLORIDE VAPOR-PHASE EPITAXY - GROWTH, DOPING, OPTIMIZATION
作者: DOSTOV VL;  IPATOVA IP;  KULIKOV AY
发表日期: 1993
摘要: A theoretical description of chloride vapour-phase epitaxy (CVPE) has been proposed which contains two-dimensional (2D) gas-dynamic equations for transport of reactive components and kinetic equations for surface growth processes connected by nonlinear adiabatic boundary conditions. No one of these stages is supposed to be the limiting one. Calculated variations of growth rate and impurity concentrations along the growing layer fit experimental data well.
KOS主题词: Gallium arsenide;  system;  atomic layer deposition
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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DOSTOV VL; IPATOVA IP; KULIKOV AY.THEORETICAL TREATMENT OF A3B5 CHLORIDE VAPOR-PHASE EPITAXY - GROWTH, DOPING, OPTIMIZATION,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,1993,8(11):1935-1943
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