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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: BAND-OFFSET OF GAAS-GAINP HETEROJUNCTIONS
作者: FENG SL;  KRYNICKI J;  DONCHEV V;  BOURGOIN JC;  DIFORTEPOISSON M;  BRYLINSKI C;  DELAGE S;  BLANCK H;  ALAYA S
发表日期: 1993
摘要: N+ GaAs-n GaInP lattice-matched heterostructures, grown by metalorganic vapour phase epitaxy, have been studied by capacitance-voltage, current-voltage and current-temperature techniques. This allowed the determination of the conduction band offset in three different and independent ways. The value obtained (0.24-0.25 eV) has been verified by photoluminescence and photoluminescence excitation on a 90 angstrom thick GaAs well in GaInP grown under the same conditions.
KOS主题词: Conduction band;  Valence;  Electromotive force
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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FENG SL; KRYNICKI J; DONCHEV V; BOURGOIN JC; DIFORTEPOISSON M; BRYLINSKI C; DELAGE S; BLANCK H; ALAYA S.BAND-OFFSET OF GAAS-GAINP HETEROJUNCTIONS,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,1993,8(12):2092-2096
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