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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: HYDROGEN DIFFUSION IN A-SI-H/A-SI STRUCTURE UNDER ELECTRICAL BIAS
作者: SONG ZZ;  ZHAN FQ;  YU G;  KONG GL;  CHEN GH
发表日期: 1993
摘要: By using the technique of elastic recoil detection (ERD), we have measured the hydrogen profiles in a-Si:H/a-Si structure samples annealed at various temperatures with and without electrical bias, and investigated the influence of electrical bias on hydrogen diffusion. The results show that hydrogen diffusion in a-Si is significantly enhanced by the action of electrical bias. The existence of the excess carriers, which are introduced by electrical injection, is considered to be responsible for the enhancement of hydrogen diffusion, and the microprocess of hydrogen transport has been exploited.
KOS主题词: amorphous silicon
刊名: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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SONG ZZ; ZHAN FQ; YU G; KONG GL; CHEN GH.HYDROGEN DIFFUSION IN A-SI-H/A-SI STRUCTURE UNDER ELECTRICAL BIAS,JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS ,1993,166(0):305-308
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