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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF THE GAAS/ALXGA1-XAS SUPERLATTICE ELECTRODE/ELECTROLYTE INTERFACE
作者: LIU Y;  XIAO XR;  LI XP;  REN XM;  ZHENG HQ;  ZENG YP;  YAN CH;  SUN DZ
发表日期: 1994
摘要: Single and multiple quantum wells of lattice-matched superlattices material GaAs/AlxGa1-xAs have been studied as photoelectrodes in photoelectrochemical cells containing nonaqueous electrolyte. Structural photocurrent spectra in the potential range of -1.8 to 1.0 V (vs standard calomel electrode) were obtained. The quantum yields for both superlattice electrodes were estimated and compared.
KOS主题词: PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LIU Y; XIAO XR; LI XP; REN XM; ZHENG HQ; ZENG YP; YAN CH; SUN DZ.PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF THE GAAS/ALXGA1-XAS SUPERLATTICE ELECTRODE/ELECTROLYTE INTERFACE,CHINESE PHYSICS LETTERS,1994,11(4):239-241
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