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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: CHANNELING ALIGNMENT FOR EPITAXIAL LIGHT-MASS FILM ON HEAVY-MASS SUBSTRATE
作者: YIN SD;  XIAO GM;  ZHU PR
发表日期: 1994
摘要: A simple procedure for obtaining a background-free backscattering spectrum of a light-mass film on a heavy-mass substrate by a normal incidence/grazing exit geometry has been described. Using this method such films can be aligned rapidly and accurately, and the impurity or defect information on the films can be obtained without need for realignment. Example is given from MeV Li-3+ analysis of a deposited film of Si on a single crystal substrate of yttria-stabilized, cubic zirconia.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
YIN SD; XIAO GM; ZHU PR.CHANNELING ALIGNMENT FOR EPITAXIAL LIGHT-MASS FILM ON HEAVY-MASS SUBSTRATE,CHINESE PHYSICS LETTERS,1994,11(5):293-296
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