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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ESTIMATION OF THE STRAIN STATE OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES BY DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION
作者: DUAN XF;  FUNG KK;  CHU YM
发表日期: 1994
摘要: 20-period strained-layer superlattices of nominal composition and width Ge0.2Si0.8 (5 nm)/Si(25 nm) and Ge0.5Si0.5 (5 nm)/Si(25 nm) were studied by double-crystal X-ray diffraction. The Ge content x was determined by computer simulation of the diffraction features from the superlattice. This method is shown to be independent of the relaxation of the superlattice. Alternatively, x can be obtained from the measured difference DELTAa/a in lattice spacing perpendicular to the growth plane. It is sensitive to the relaxation. Comparing the results obtained in these two different ways, information about the relaxation of the superlattices can be obtained.
KOS主题词: Thin films
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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DUAN XF; FUNG KK; CHU YM.ESTIMATION OF THE STRAIN STATE OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES BY DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1994,141(0):103-108
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